摘要：金融界2月2日消息，有投资者在互动平台向民德电子提问：公司6英寸碳化硅试产良率如何，是否达到客户交付标准。公司回答表示：广芯微电子一阶段主要目标是全系列沟槽式肖特基二极管、特高压DMOS、高压BCD产品的量产工作，碳化硅产线目前处于安装调试阶段，尚未有产品交付，后续是什么。
...金融界2月2日消息，有投资者在互动平台向民德电子提问：公司6英寸碳化硅试产良率如何，是否达到客户交付标准。公司回答表示：广芯微电子一阶段主要目标是全系列沟槽式肖特基二极管、特高压DMOS、高压BCD产品的量产工作，碳化硅产线目前处于安装调试阶段，尚未有产品交付，后续是什么。
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金融界2024年1月31日消息，据国家知识产权局公告，北京小米移动软件有限公司取得一项名为“终端和有机发光二极管显示面板的制作方法“授权公告号CN111384092B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，本公开是关于一种终端，包括：显示面板和图像采集设备，所述显示面板包括第等我继续说。
jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 3 1 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， bei jing xiao mi yi dong ruan jian you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ zhong duan he you ji fa guang er ji guan xian shi mian ban de zhi zuo fang fa “ shou quan gong gao hao C N 1 1 1 3 8 4 0 9 2 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 1 2 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben gong kai shi guan yu yi zhong zhong duan ， bao kuo ： xian shi mian ban he tu xiang cai ji she bei ， suo shu xian shi mian ban bao kuo di deng wo ji xu shuo 。
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金融界2月2日消息，有投资者在互动平台向民德电子提问：请问公司联营企业，广芯微，2023年四季度运营MOD和MFER量产情况，目前达到每月多少？是否有实际客户，产生营收？公司回答表示：广芯微电子目前已量产的产品包括100V沟槽式肖特基二极管、1500V特高压DMOS,并已开始对外销后面会介绍。
金融界2024年2月1日消息，据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为“一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法“授权公告号CN116031277B,申请日期为2023年2月。专利摘要显示，本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示神经网络。
所述第一导电结构和/或第二导电结构上设置有输出电极。本发明将导电层复合在背板板体上，并通过背板上的电极导电连接口使已经进行串联或并联连接好的电池串与背板相连，通过各个导电结构的布局还可以使得旁路二极管与导电层连接，当电池串与导电结构连接实现电池串的线路连神经网络。
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格隆汇2月1日，华润微(688396.SH)披露投资者关系活动记录表显示，公司碳化硅二极管和碳化硅MOS均已稳定量产，主要应用是汽车电子、充电桩、光伏储能、工业电源等，二极管和MOS产品均有进入汽车电子应用。免责申明：内容来源于网络，若侵犯了您的权益，请及时发送邮件通知作者说完了。
金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“微型二极管灯板和发光装置“公开号CN117480440A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示，本发明提供一种微型二极管灯板和发光装置。微型二极管灯板包括衬底、位于所述衬底上的多神经网络。
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金融界2024年1月29日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种散热性能良好的模块二极管“授权公告号CN220400578U,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种散热性能良好的模块二极管，包括料片，所述后面会介绍。
证券之星消息，根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请，专利名为“无机发光二极管、发光面板和背光模组”，专利申请号为PCT/CN2022/107492,国际公布日为2024年1月25日。专利详情如下：图片来源：世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已公布的国际专利等我继续说。
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金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，常州星海电子股份有限公司取得一项名为“一种太阳能发电组件用旁路二极管“授权公告号CN108010975B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种太阳能发电组件用旁路二极管。涉及太阳能发电组件用旁路二极管，尤其涉及一是什么。
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