摘要：共和国企业家，毕业于兰州大学，隆基股份创始人、法定代表人、董事长。 李振国的父母是地质工作者，12岁时跟随父母离开家乡，搬到了青海。1990年，李振国从兰州大学物理系半导体材料专业毕业后，被分配到华山半导体材料厂（国营741厂）工作，主要负责拉制单晶硅（英语：Monocrystalline。...共和国企业家，毕业于兰州大学，隆基股份创始人、法定代表人、董事长。 李振国的父母是地质工作者，12岁时跟随父母离开家乡，搬到了青海。1990年，李振国从兰州大学物理系半导体材料专业毕业后，被分配到华山半导体材料厂（国营741厂）工作，主要负责拉制单晶硅（英语：Monocrystalline。
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热电堆是一种能把温差和电能相互转化的元件。当热电堆的两边出现温差时，会产生电流，可用于测量温度。反之，通以电流，其两面会产生温差，也有专门利用其冷端的器件，称“半导体制冷片”，可在汽车冰箱，激光冷却系统，以及饮水机里边见到。结构上，它由多个热电偶组成。使用热电堆测量温度时，可以克服单个热电偶产生的电势差太小而难。
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re dian dui shi yi zhong neng ba wen cha he dian neng xiang hu zhuan hua de yuan jian 。 dang re dian dui de liang bian chu xian wen cha shi ， hui chan sheng dian liu ， ke yong yu ce liang wen du 。 fan zhi ， tong yi dian liu ， qi liang mian hui chan sheng wen cha ， ye you zhuan men li yong qi leng duan de qi jian ， cheng “ ban dao ti zhi leng pian ” ， ke zai qi che bing xiang ， ji guang leng que xi tong ， yi ji yin shui ji li bian jian dao 。 jie gou shang ， ta you duo ge re dian ou zu cheng 。 shi yong re dian dui ce liang wen du shi ， ke yi ke fu dan ge re dian ou chan sheng de dian shi cha tai xiao er nan 。
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毕业后，这批同学陆续创办了一系列命名为“隆基”的企业。2000年，李振国创办了西安新盟电子科技有限公司，并邀请当年同学相聚于此。创办之初，公司主营半导体级单晶硅（英语：Monocrystalline silicon）材料的开发、制造与销售。2006年，西安新盟电子科技有限公司正式更名为西安隆基硅材。
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京瓷（日语：京セラ／きょうせら Kyōsera */?）是源於日本的跨国科技公司，由稻盛和夫创立於1959年，总部位於日本京都市伏见区。其以精密制陶起家，目前以生产电子制品为事业主力。 1959年：在京都市建立公司总部和工厂，生产精密陶瓷，公司名为「京都陶瓷株式会社」（京都セラミック株式会社）。 1960年：在东京开设办事处。。
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Research）出任研究员，后来出任美国国家航空航天局调研员。1997年，金安君加入硅谷半导体重型装备公司，出任高级工程师、技术专家兼任项目经理及高级技术专员。 2011年，金安君被作为“海外高层次人才”引进回中国，出任中国华能集团首席科学家、华能清洁能源研究院任光伏光热清洁能源研究所兼任所长、珠海莲腾新能源技术有限公司董事长。
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炉、扩散炉、清洗机、热处理装备、液晶面板制造装备、气体品质流量控制器等系列化半导体关键制造装备及核心零部件，应用领域以积体电路制造领域为核心、辐射先进封装、半导体照明、微机电系统、功率器件、化合物半导体、平板显示、新能源光伏等诸多应用领域。 2018年1月16日，北方华创科技集团股份有限公司下属北京。
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“永辉商事”注册资金9800万日元，下设有光伏发电相关（制造、回收、再生）、电脑及相关耗材、半导体相关（晶圆再生及相关设备）、资源回收再利用、设备制造（半导体设备、液晶制造设备、信号品频射器、光学设备、医疗器材、建筑起重机、AV设备等）等主营业务。 2017年12月期 决算与中期经营计划说明资料 株式会社RS。
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量子点（英语：Quantum Dot，缩写为 QD）是把激子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。这种约束可以归结于静电势（由外部的电极，掺杂，应变，杂质产生），两种不同半导体材料的界面（例如：在自组量子点中），半导体的表面（例如：半导体纳米晶体），或者以上三者的结合。量子点具有分离的量子化的能谱。所对应的波。
8%的纯硅。如要将它做成半导体用硅，还要将其转化成易于提纯的液体或气体形式，再经蒸馏、分解过程得到多晶硅。如需得到高纯度的硅，则需要进行进一步的提纯处理。 已发现的硅的同位素共有12种，包括硅25至硅36，其中只有硅28，硅29，硅30是稳定的，其他同位素都带有放射性。 硅是一种半导体材料，可用于制作半导体。
王占国：中国科学院院士。主要从事半导体材料及材料物理研究，硅太阳电池暂照效应研究成果以及半导体材料、元器件、电路暂照效应研究曾分别为我国人造卫星用电源和国防建设作出了贡献，半导体深能级和光谱物理研究成果被国际同行引用200余次，达国际先进水平。 近年来在标准半导体结构材料、半导体。
是太阳能电池中的辐射复合。它是由威廉·肖克利和Hans-Joachim Queisser于1961年在肖克利半导体实验室首次计算出来的，结果是1.1 eV时最高效率为30%。此极限是利用光伏电池生产太阳能最基本的原理之一，并被认为是该领域最重要的贡献之一。 最初的计算使用6000K黑体光谱作为太阳。
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光生伏打效应（英语：Photovoltaic effect），简称为光伏效应，是指受光线或其他电磁辐射照射的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电压与电流的现象。光生伏打效应与光电效应密切相关，属内光电效应。在光电效应中，材料吸收了光子的能量产生了一些自由电子溢出表面。而在光生伏。
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太阳光电系统，也称为光生伏特，简称光伏（Photovoltaics；字源“photo-”光，“voltaics”伏特），是指利用光伏半导体材料的光生伏打效应而将太阳能转化为直流电能的设施。光伏设施的核心是太阳能电池板。目前，用来发电的半导体材料主要有：单晶硅、多晶硅、非晶硅及碲化镉等。由于近年来各国都在积极推动可再生能源的应用，光伏产业的发展十分迅速。。
硫化鎘是硫和镉的无机化合物，化学式为CdS。它是一种N型光电导半导体材料。属Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。分子量144.476,属六方晶格结构，晶格常数5.86×10-10m,熔点1750℃，禁带宽度2.41电子伏,电子和空穴的迁移率分别为2×10-2和2×10-3米2/伏·秒，相对介电常数11。
较不常见的版本则有美国国家半导体所制造的LM78Mxx系列（500 毫安培）以及LM78Lxx系列（100 毫安培）。有些类型提供较不寻常的电压，例如意法半导体所制造的LM78L62系列（6.2 伏特）、LM78L82系列（8.2 伏特）以及L78L33ACZ系列（3.3 伏特）。 值得注意的是，美国国家半导体。
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晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。:95 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN电晶体为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到。
太阳光变频器（PV inverter或solar inverter）可以將光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电（AC）的变频器，可以回馈回商用输电系统，或是供离网（英语：Off-the-grid）的电网使用。太阳光变频器是光伏阵列系统中重要的系统平衡（英语：balance of。
和无人驾驶车辆的Li-Fi系统 。这种半导体材料也是太赫技术的材料基础，其应用包括探测隐藏武器的安全监视系统 、太赫兹断层扫描的安全医疗和工业成像系统 ，以及介电尾场加速器 。 此外，嵌入窄带隙半导体的热光伏（英语：Thermophotovoltaic energy conversion）。
cell）或称光伏电池、光生伏打电池），是一种將太阳光通过光生伏打效应转成电能的装置。太阳能电池按定义並非电池，因其並不储能，这是翻译名词，原意为太阳能单元，属于一种光电器件。 在常见的半导体太阳能电池中，透过適当的能阶设计，便可有效的吸收太阳所发出的光，並产生电压与电流。这种现象又被称为太阳能光伏。。
FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。 IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏。
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