二极管有横线的一端

摘要：金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，中国电信股份有限公司申请一项名为“一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置与介质“公开号CN117421359A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置和介质后面会介绍。 ...

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，中国电信股份有限公司申请一项名为“一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置与介质“公开号CN117421359A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本申请公开了一种基于发光二极管的数据转换方法、系统、装置和介质后面会介绍。

金融界2024年1月19日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法、显示装置“公开号CN117425365A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传等会说。

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jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 1 9 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， T C L ke ji ji tuan gu fen you xian gong si shen qing yi xiang ming wei “ fa guang er ji guan ji qi zhi bei fang fa 、 xian shi zhuang zhi “ gong kai hao C N 1 1 7 4 2 5 3 6 5 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 2 nian 7 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben shen qing gong kai le yi zhong fa guang er ji guan ， bao kuo ceng die de yang ji 、 kong xue chuan shu ceng 、 fa guang ceng ji yin ji ， suo shu kong xue chuan deng hui shuo 。

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金融界2024年1月18日消息，据国家知识产权局公告，常州银河世纪微电子股份有限公司取得一项名为“判断单向二极管极性方向的测试夹具“授权公告号CN220357120U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本实用新型提供一种判断单向二极管极性方向的测试夹具，包括：测试夹体、电后面会介绍。

金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“发光二极管及显示装置“公开号CN117412651A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种发光二极管，包括层叠的阳极、空穴传输层、发光层及阴极，所述空穴传输层的材料包神经网络。

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金融界2024年1月16日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料及其制备方法、发光二极管“的专利，公开号CN117410410A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示，本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光二极管，该复合材料的制备方法包等会说。

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金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置“授权公告号CN107394052B,申请日期为2017年8月。专利摘要显示，本发明提供一种有机发光二极管器件及其制备方法、显示装置，属于是什么。

格隆汇1月9日，银河微电(688689.SH)在投资者互动平台表示，公司碳化硅产品持续研发中。其中，碳化硅肖特基二极管已量产650V和1200V规格。电流范围1A~50A;碳化硅MOSFET 已完成第一代1200V 80mΩ/40mΩ 单管产品的开发。公司在真空焊接、纳米银烧结、耐高温包封等方面好了吧！

金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司取得一项名为“复合材料及其制备方法和量子点发光二极管“授权公告号CN113809248B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子神经网络。

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金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316986A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体器件。包括从下而上依次设置后面会介绍。

金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法“公开号CN117316984A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其制备方法。涉及半导体技等会说。