本文作者:小乐剧情

半导体基础知识,半导体基础知识自学

小乐剧情 2024-01-30 18:47 697 616条评论
半导体基础知识,半导体基础知识自学摘要:金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体器件的方法“公开号CN117476454A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明提供一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括:在衬底上依次堆叠牺牲层和支撑层、形成穿透牺牲层和等我继续说。 ...

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体器件的方法“公开号CN117476454A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本发明提供一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括:在衬底上依次堆叠牺牲层和支撑层、形成穿透牺牲层和等我继续说。

1、半导体基础知识整理

2、半导体基础知识的总结与心得

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金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统“公开号CN117479541A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,公开了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。该半导体装置包括:基底;导电是什么。

3、半导体基础知识思维导图

4、半导体基础知识PPT

jin rong jie 2 0 2 4 nian 1 yue 3 0 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , san xing dian zi zhu shi hui she shen qing yi xiang ming wei “ ban dao ti zhuang zhi he bao kuo gai ban dao ti zhuang zhi de shu ju cun chu xi tong “ gong kai hao C N 1 1 7 4 7 9 5 4 1 A , shen qing ri qi wei 2 0 2 3 nian 7 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , gong kai le ban dao ti zhuang zhi he bao kuo gai ban dao ti zhuang zhi de shu ju cun chu xi tong 。 gai ban dao ti zhuang zhi bao kuo : ji di ; dao dian shi shen me 。

5、半导体基础知识题库

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6、半导体基础知识教案

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金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117479531A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的好了吧!

7、半导体基础知识课件

8、半导体基础知识测试题

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件和制造其的方法“公开号CN117479532A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,公开了半导体存储器件和制造方法。例如,一种半导体存储器件可以包括具有彼此相邻的第一有源图案说完了。

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金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子系统“公开号CN117479536A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,一种半导体器件,包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括:堆叠结构,包括在竖直说完了。

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金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件“公开号CN117476591A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,一种半导体封装件包括:第一布线结构,其包括具有多个第一底连接焊盘和多个第一顶连接焊盘的多个第一重分布图案以及还有呢?

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“公开号CN117479530A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:基底;多个下电极,位于基底上并且以蜂窝结构布置;以及支撑件,将多个下电极后面会介绍。

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半导体板块重挫超4%,华虹半导体跌超7%,中芯国际、高伟电子跌超6%;保险板块跌超3%,众安在线跌超7%,友邦保险、中国太平、新华保险跌超4%;耐用消费品、房地产、软件与服务、制药生物、零售业等板块跌幅靠前。热门个股方面,小鹏汽车、东方甄选逆势飘红。携程集团跌超5%是什么。

金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“具有用于防止裂纹的倒角区域的半导体芯片“公开号CN117479537A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,公开了一种半导体芯片,包括:防护环,围绕半导体衬底的边缘;内部电路结构,形成在半导体衬说完了。

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金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括该半导体装置的电子系统“公开号CN117479540A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,提供了一种电子系统和半导体装置。该半导体装置包括:衬底,其包括存储器单元区域和连接后面会介绍。

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作者:小乐剧情本文地址:https://snq.25ys.net/jnbm4bal.html发布于 2024-01-30 18:47
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