半导体公司,半导体公司招聘

摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法“授权公告号CN110299358B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多是什么。 ...

金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法“授权公告号CN110299358B,申请日期为2019年1月。专利摘要显示，一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多是什么。

金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件以及形成半导体器件的方法“授权公告号CN110783410B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括具有源极/漏好了吧！

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN108695433B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第说完了。

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109003975B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸是什么。

金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利，授权公告号CN108987405B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，可以提供一种半导体存储器件，其包括：基板，包括第一块和第二块，第一块和第二块每个具有单元阵列区域和是什么。

金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109037221B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：存储单元区域，包括沿着沟道孔布置的存储单元，沟道孔提供在基板上以在垂直于基板的上表好了吧！

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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，比亚迪半导体股份有限公司申请一项名为“一种芯片调试方法、装置、电子设备、存储介质“公开号CN117539743A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本发明实施例提供了一种芯片调试方法、装置、电子设备、计算机可读存储介是什么。

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“一种半导体存储器的阵列结构“授权公告号CN109698193B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体存储器的阵列结构，具有纵向和横向两个互相垂直的方向，在复数个阵列是什么。

金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构、存储装置、半导体器件及其制造方法“授权公告号CN109390304B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本公开是关于提供一种半导体结构、存储装置、半导体器件及半导体器件是什么。

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体结构及其形成方法“授权公告号CN113517289B,申请日期为2020年4月。专利摘要显示，该发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。该方法包括：提供半导体衬底说完了。

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