晶体管三个电极电流之间的关系

小乐剧情 2024-02-13 11:34 859 977条评论

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摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110957358B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠等会说。 ...

金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110957358B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠等会说。

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金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法、半导体器件“授权公告号CN108511518B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。由于晶体管的栅极介质层在不同区域等我继续说。

jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 8 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， chang xin cun chu ji shu you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ jing ti guan ji qi xing cheng fang fa 、 ban dao ti qi jian “ shou quan gong gao hao C N 1 0 8 5 1 1 5 1 8 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 8 nian 3 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， ben fa ming ti gong le yi zhong jing ti guan ji qi xing cheng fang fa 、 ban dao ti qi jian 。 you yu jing ti guan de zha ji jie zhi ceng zai bu tong qu yu deng wo ji xu shuo 。

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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备“公开号CN117545276A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在说完了。

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示，本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，该金属氧化物薄膜晶体管包括：设置在衬神经网络。

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金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，苹果公司申请一项名为“鳍式场效晶体管技术中的半导体布局“公开号CN117542895A,申请日期为2018年7月。专利摘要显示，本公开涉及鳍式场效晶体管技术中的半导体布局。描述了用于将单元放置在集成电路中的系统、装置和方后面会介绍。

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金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备“公开号CN117546300A,申请日期为2021年10月。专利摘要显示，本申请实施例提供一种鳍式双极结型晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领说完了。

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第一沟槽用以隔离PMOS晶体管，第二沟槽用以隔离NMOS晶体管，热氧化层形成于第一沟槽及第二沟槽的侧壁及底部，内衬层形成于第一沟槽的热氧化层的表面，且第一沟槽底部的内衬层被去除，以显露第一沟槽底部的热氧化层，填充层填充于第二沟槽内，介质层填充于第一沟槽中。本发明将好了吧！

金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“锁存器、触发器及芯片“公开号CN117546239A,申请日期为2021年10月。专利摘要显示，本申请提供了一种锁存器、触发器及芯片，涉及数字电路领域，能够减少触发器中晶体管的数量。该锁存器包括信好了吧！

控制第二晶体管和第四晶体管导通；在第一控制电压为第二阈值且第二控制电压为第一阈值时，将第一电容放电，将第一电容的上极板电压从第一高边电压降低至钳位电压，控制第一晶体管和第三晶体管导通，从而快速导通第二晶体管和第四晶体管、或第一晶体管和第三晶体管。本文源自金好了吧！