摘要：包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；源极结构，在电极结构和衬底之间；垂直半导体图案，穿过电极结构和源极结构；数据存储图案，在垂直半导体图案的每个和电极结构之间；以及公共源极图案，在源极结构和衬底之间。公共源极图案具有比源极结构低的电阻率，并且通过源极结构连接到垂直半等我继续说。
...包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；源极结构，在电极结构和衬底之间；垂直半导体图案，穿过电极结构和源极结构；数据存储图案，在垂直半导体图案的每个和电极结构之间；以及公共源极图案，在源极结构和衬底之间。公共源极图案具有比源极结构低的电阻率，并且通过源极结构连接到垂直半等我继续说。
氧化石墨烯接枝苯乙烯：0.5份～5份；氟化石墨：0.5份～5份；抗冲击改性剂：10份～30份；抗氧化剂：1份～3份；碳酸钙：2份～10份：润湿剂：1份～4份。本发明通过在聚丙烯中添加氧化石墨烯接枝苯乙烯和氟化石墨，从而降低管材降低材料电阻率，提高抗静电效果。同时氧化石墨烯接枝苯乙烯还提等会说。
yang hua shi mo xi jie zhi ben yi xi ： 0 . 5 fen ～ 5 fen ； fu hua shi mo ： 0 . 5 fen ～ 5 fen ； kang chong ji gai xing ji ： 1 0 fen ～ 3 0 fen ； kang yang hua ji ： 1 fen ～ 3 fen ； tan suan gai ： 2 fen ～ 1 0 fen ： run shi ji ： 1 fen ～ 4 fen 。 ben fa ming tong guo zai ju bing xi zhong tian jia yang hua shi mo xi jie zhi ben yi xi he fu hua shi mo ， cong er jiang di guan cai jiang di cai liao dian zu lv ， ti gao kang jing dian xiao guo 。 tong shi yang hua shi mo xi jie zhi ben yi xi hai ti deng hui shuo 。
搅拌均匀后进行造粒、烘烤、冷却、过筛，将润滑剂加入到中间粒径的复合粉料，混合均匀得到一体成型电感用高频低损耗软磁复合材料。本发明不仅提高了一体成型电感粉料的包覆均匀性、热稳定性和绝缘性，同时制得的一体成型电感具有高磁导率、高电阻率和高频低损耗等优异性能。..
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金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，东旭光电科技股份有限公司取得一项名为“电阻率测量装置及方法”，授权公告号CN107064642B,申请日期为2017年6月。专利摘要显示，本公开涉及一种电阻率测量装置及方法。该装置包括加热炉、夹紧装置、电阻测量单元和处理单等会说。
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金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司取得一项名为“地层电阻率方位各向异性确定方法及装置“授权公告号CN112696195B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示，本申请提供的地层电阻率方位各向异性确定方法及装置，利用多对极板上的好了吧！
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金融界2023年12月15日消息，据国家知识产权局公告，中国石油天然气股份有限公司申请一项名为“一种岩石径向电阻率测试的计算方法、装置及电子设备“公开号CN117233463A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明提供一种岩石径向电阻率测试误差的计算方法、装置及电子神经网络。
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金融界2023年12月6日消息，据国家知识产权局公告，华新水泥股份有限公司申请一项名为“基于无电极电阻率的混凝土中钢筋锈蚀状态检测方法“公开号CN117169291A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明涉及一种基于无电极电阻率的混凝土中钢筋锈蚀状态检测方法，包括以好了吧！
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金融界2023年12月29日消息，据国家知识产权局公告，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种P型碳化硅晶体“公开号CN117305983A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种P型碳化硅晶体，涉及碳化硅晶体生长技术领域。P型碳化硅晶体电阻率最大值≤等我继续说。
金融界2023年12月15日消息，据国家知识产权局公告，彩虹显示器件股份有限公司申请一项名为“基板玻璃窑炉氧化锡电极高温电阻率的测量装置及方法“公开号CN117233467A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本发明提供一种基板玻璃窑炉氧化锡电极高温电阻率的测量装置及方说完了。
金融界2023年11月28日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN117133653A,申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制好了吧！
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