摘要：
电阻率（英语：resistivity），也称为体积电阻率或比电阻，是材料的特性，用于测量其电阻或抵抗电流的能力。 低电阻率表示材料容易通过电流。 电阻率通常用希腊字母ρ表示。电阻率的SI单位是欧姆·米（Ω· m）。例如，如果7000100000000000000♠1 m3实心立方体材料在两个相对面。...
电阻率（英语：resistivity），也称为体积电阻率或比电阻，是材料的特性，用于测量其电阻或抵抗电流的能力。 低电阻率表示材料容易通过电流。 电阻率通常用希腊字母ρ表示。电阻率的SI单位是欧姆·米（Ω· m）。例如，如果7000100000000000000♠1 m3实心立方体材料在两个相对面。
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电阻率（英语：Resistivity），又称电阻系数，是描述材料导电性能的物理量。 电阻率在数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的导电度]。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关，是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。 电阻率在国际单位制的单位是Ω·m，读作欧姆米，简称欧米。常用单位为“欧姆·米”。。
dian zu lv （ ying yu ： R e s i s t i v i t y ） ， you cheng dian zu xi shu ， shi miao shu cai liao dao dian xing neng de wu li liang 。 dian zu lv zai shu zhi shang deng yu dan wei chang du 、 dan wei jie mian de mou zhong wu zhi de dao dian du ] 。 dian zu lv yu dao ti de chang du 、 heng jie mian ji deng yin su wu guan ， shi dao ti cai liao ben shen de dian xue xing zhi ， you dao ti de cai liao jue ding ， qie yu wen du you guan 。 dian zu lv zai guo ji dan wei zhi de dan wei shi Ω · m ， du zuo ou mu mi ， jian cheng ou mi 。 chang yong dan wei wei “ ou mu · mi ” 。 。
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500℃。比热14cal/molK。二氧化铀为面心立方结构萤石型结晶构造。单位立方体由中心4个铀原子和外围8个氧原子组成。 二氧化铀不溶于水。极易和硝酸反应生成硝酸铀酰。还能和二氧化鈈以任意比例混合。常温下热传导率为10W/mK，1000℃时的热传导率为4W/mK。二氧化铀的电阻率隨温度升高而降低。。
电阻而发热耗散，涡流损和电流循环面积的大小成正比、和材料的电阻率成反比。 若铁芯是由薄的叠层（英语：lamination）组成，中间又有绝缘的涂层，可以减少涡流损。 调整铁芯材料也可以减少涡流损，一种是使用导磁但不导电的材料，例如铁氧体，若使用加硅的电工钢（硅钢），钢的电阻率明显上升，也可以减少涡流损。。
石油天然气工业用电缆测井来取得地层岩石性质的连续记录。这能推出进一步的性质，如含烃饱和度，孔隙度，渗透率和地层压力，可用于进一步的钻探和生产决策。电缆测井是通过电缆末端的测井仪器下降到油井里，通过不同传感器来记录岩石物理性质。测井仪器经过这几年的发展可测量电阻，声波，放射性，电磁，核磁共振以及岩石和岩石充填的流体的其他性质。。
V=V_{gh}=I\rho l/a} 总结，电阻与电阻率的关係为： R = ρ l / a {\displaystyle R=\rho l/a} 假设 J > 0 {\displaystyle J>0} ，则 V > 0 {\displaystyle V>0} ；將单位电荷从点g移动到点h，电场力需要作的机械功。
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电极在左上开始按逆时针从1到4编号。 电流I12是由1流入由2流出的直流电流，单位是安培（A）。 电压V34是没有外部磁场时接触3和4间的直流电压（即V4-V3），单位是伏特（V）。 电阻率ρ是单位是欧姆⋅米（Ω⋅m）。 样品的厚度t的单位是米（m）。 薄膜电阻RS的单位是欧姆每平方（Ω/sq或 Ω / ◻ {\displaystyle。
於2011年3月23日查阅 艺术与建 筑索引典—导电性 互联网档案馆的存档，存档日期2011-11-04.於2011年3月23日查阅 艺术与建 筑索引典—电阻率 互联网档案馆的存档，存档日期2011-11-04.於2011年3月23日查阅 Croft, Terrell; Summers, Wilford I。
为通过物体的电流。 假设一个物体具有均匀截面面积，则其电阻与电阻率、长度成正比，与截面面积成反比。 在国际单位制中，电阻的单位为欧姆（Ω，Ohm）。电阻的倒数为电导，单位为西门子（S）。 假设温度不变，则很多种物质会遵守欧姆定律，即这些物质所组成的物体，其电阻为常数，不跟电流或电压有关，一般称这些物质为「。
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薄膜电阻(sheet resistance)，又被称为方块电阻、方阻，是具有均匀厚度薄膜电阻的量度，通常被用作评估半导体掺杂的效果。使用这种概念的例子有：半导体的掺杂领域（比如硅或者多晶硅），以及被丝网印刷到薄膜混合微电路基底上的电阻。薄膜电阻的概念与电阻或者电阻率。
。 有些物质会有异向性 (anisotropic) 的电导率，必需用 3 X 3 矩阵来表达（使用数学术语，第二阶张量，通常是对称的）。 电导率是电阻率 ρ {\displaystyle \rho \,\!} 的倒数。在国际单位制中的单位是西门子／公尺 (S·m-1)： σ = 1 ρ {\displaystyle。
洛伦兹-亥维赛单位制（或称亥维赛-洛伦兹单位制）是一种衍生自厘米-克-秒制的单位系统，主要用于电磁学领域。其得名于荷兰物理学家亨德里克·洛伦兹与英国数学家奥利弗·亥维赛。与同是衍生自厘米-克-秒制的高斯单位制类似，在使用这种单位制时，电常数ε0及磁常数µ0并不在方程中出现，而是整合于相关的单位中。相对于国际单位。
单位，但力的单位（衍生单位）会使用国际单位制的单位牛顿，而不会使用厘米-克-秒单位制的单位达因。 厘米-克-秒制及国际单位制用相同的方式定义力学的单位，二者的差异是使用不同的长度及质量基础单位，厘米-克-秒制使用厘米和克为长度及质量基础单位，国际单位制使用米和千克为基础单位。
单位制之间的单位转换並不像平常单位转换那样简易。例如，电磁学的马克士威方程组，依使用不同单位制而形式不同：电容率或磁导率在高斯单位制是无因次的物理量，在国际单位制可能有因次。 高斯单位制必须与国际单位制掛鉤才有实验意义，因为只有国际单位制精確定义了各个物理量。在某些领域高斯单位。
亨利（Henry），符号表示为H，是电感的国际单位制导出单位。如果电路中电流每秒变化1安培，则会产生1伏特的感应电动势，此时电路的电感定义为1亨利。 亨利在国际单位制中的量纲是V·A-1·s = m²·kg·s-2·A-2。 此单位是以美国科学家约瑟·亨利的名字命名的。。
西门子，简称为西门（英语：Siemens），符号为S，是物理电路学及国际单位制中，电阻、电纳和导纳，三种导抗的单位。较早期的文献则使用姆欧℧为单位，发音为mho。 西门子在1971年第14届国际度量衡大会被认可为国际单位制导出单位。 命名缘由是为了纪念德国电学家、发明家和工业家维尔纳·冯·西门子。。
率可查表。 电阻 R 与电极间距 l 成正比，与样品截面积 A 成反比(注意：上图用 S 表示面积)，即 R = l A ρ . {\displaystyle R={\frac {l}{A}}\rho .} 其中ρ为电阻率。 实验中，电导池用比电阻 ρ* 已知的溶液校准，所以。
特斯拉（tesla），符号表示为T，是磁通量密度（Wb/m2）或磁感应强度的国际单位制导出单位。 在1960年巴黎召开的国际计量大会命名，以纪念在电磁学领域有重要贡献的美籍塞尔维亚发明家、电气工程师尼古拉·特斯拉。 1 特士拉为 1 韦伯之磁通量均匀而垂直地通过 1 平方米面积之磁通密度。 又单位可表示为： T = V ⋅ s m 2 =。
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率最高和在一定的磁化场下有高的磁感值。取向硅钢的硅含量约为3%，并要求钢中氧化物夹杂含量低，同时须含有某种抑制剂(MnS, A1N )，因为多用于变压器铁芯制造，所以也称冷轧变压器钢。 无取向硅钢的含碳量很低，硅含量在0.8%-4.8%之间，加入硅可提高铁的电阻率和最大磁导率。
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是电场， J {\displaystyle \mathbf {J} } 是电流密度， σ {\displaystyle \sigma } 是电导率，是电阻率的倒数。 採用更基础性的方法来计算电流密度。这方法建立於方程式 J ( r , t ) = ∫ − ∞ t d t ′ ∫ d 3 r ′ σ (。
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