摘要：
金融界5月5日消息，兆驰股份公告，近日，公司作为保证人与中国农业银行股份有限公司南昌高新支行签署了《保证合同》公司对全资子公司江西兆驰半导体有限公司向农业银行申请3亿元流动资金借款提供连带责任保证。截至公告披露日，公司及下属子公司实际发生的担保余额为人民币4神经网络。
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金融界5月5日消息，兆驰股份公告，近日，公司作为保证人与中国农业银行股份有限公司南昌高新支行签署了《保证合同》公司对全资子公司江西兆驰半导体有限公司向农业银行申请3亿元流动资金借款提供连带责任保证。截至公告披露日，公司及下属子公司实际发生的担保余额为人民币4神经网络。
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金融界5月5日消息，有投资者在互动平台向迈为股份提问：董秘好！储存产业链持续向好，苹果MR业务增长持续，做为新增长点这方面贵公司2024半导体设备经营出货情况如何？有没有突破性进展？公司回答表示：公司在半导体晶圆激光工艺、研抛工艺及刀轮工艺方面的装备阵容日益强大，其中等我继续说。
jin rong jie 5 yue 5 ri xiao xi ， you tou zi zhe zai hu dong ping tai xiang mai wei gu fen ti wen ： dong mi hao ！ chu cun chan ye lian chi xu xiang hao ， ping guo M R ye wu zeng chang chi xu ， zuo wei xin zeng chang dian zhe fang mian gui gong si 2 0 2 4 ban dao ti she bei jing ying chu huo qing kuang ru he ？ you mei you tu po xing jin zhan ？ gong si hui da biao shi ： gong si zai ban dao ti jing yuan ji guang gong yi 、 yan pao gong yi ji dao lun gong yi fang mian de zhuang bei zhen rong ri yi qiang da ， qi zhong deng wo ji xu shuo 。
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美国打压我国的半导体产业，让我国很多企业都激发了要努力国产化的雄心壮志，克服诸多困难都要努力研发自己的半导体技术。据不完全统计，我国的高新产业，投入半导体研发的多达万余家，国家也有着相关的政策扶持，自然是很多企业都乐于尝试。现在中国半导体已经有百分之七十能实还有呢？
5月5日，富创精密获东吴证券增持评级，近一个月富创精密获得2份研报关注。研报预计2024-2025年归母净利润预测至2.5(原值4.3)/3.2(原值5.9)亿元，预计2026年为4.1亿元。研报认为，公司是国内纯度最高、规模最大、产品种类最全的半导体零部件供应商，深度受益半导体设备及零部件国神经网络。
5月4日，赛腾股份获东吴证券买入评级，近一个月赛腾股份获得1份研报关注。研报预计2023年公司实现营业收入44.5亿元，同比+52%,其中消费电子设备收入41.2亿元，同比+68.19%,半导体设备收入2.6亿元，同比-9%;归母净利润6.9亿元，同比+124%;扣非归母净利润6.7亿元，同比+132%。20还有呢？
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN110649020B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；第一栅电极层，所述第等我继续说。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体装置“的专利，授权公告号CN110556361B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆好了吧！
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN109904161B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括从衬底的顶表面垂直地突出的第一有源图案；以及填等我继续说。
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金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“在半导体器件中形成微图案的方法“授权公告号CN110911272B,申请日期为2018年9月。专利摘要显示，本发明提供一种在半导体器件中形成微图案的方法，步骤如下：提供一基底，在基底上形成一层说完了。
金融界2024年5月4日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117976616A,申请日期为2022年10月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的形成方法是什么。
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